志圣智能半导体晶圆无尘无氧化烘烤箱专为先进制程开发，采用全封闭式钛合金腔体与三重气体置换系统（氧含量<5ppm），确保12英寸晶圆在300℃工艺中实现零氧化。设备搭载纳米级离子风除尘模块（微粒控制≤0.05μm），配合自适应压力控制（0.01-0.8MPa可调），有效解决3D NAND多层堆叠结构的应力变形问题。其独创的微波辅助加热技术可使升温速率达20℃/s，晶圆片内均匀性≤±0.8℃，已成功应用于5nm以下制程的High-K介质固化与EUV光刻胶后烘，使产品关键尺寸变异（CDU）降低40%。通过SECS/GEM通讯协议实现全自动化生产追溯，符合SEMI S2/S8国际安全标准。
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